BSP297 E6327
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSP297 E6327 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 357 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 660mA (Ta) |
BSP297 E6327 Einzelheiten PDF [English] | BSP297 E6327 PDF - EN.pdf |
BSP297 INF
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BSP297 L6327 INFINEO
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2024/04/14
2024/06/19
2024/11/5
2024/05/9
BSP297 E6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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